SJ 50033.96-1995 半导体分立器件3DG216型NPN硅小功率差分对晶体管详细规范
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ID： |
2907A4EE8CD84A2994D20B42B2488318 |
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0.69 |
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9 |
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日期： |
2024-7-28 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/96-95,半导体分立器件,3DG216型NPN硅小功率差分,对晶体管详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3DG216 NPN silicon,low"power difference matched-pair transistor,1996.06发布1996^10-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件 ー,3DG216型NPN硅小功率差分对晶体管详细规范SJ納砕ー95,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3DG216 NPN silicon,Low-power difference matched — pair transistor,范,1.I 主题内容,本规范规定了 3DG216型NPN硅小功率差分对晶体管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》第1.3的规定,提供的产品保证等级为普军、特军和,超特军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4587—84,GB 7581—87,GJB 33—85,GJB 128—86,双极型晶体管测试方法,半导体分立器件外形尺寸,半导体分立器件总规范,半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,引出端材料为可伐。引出端表面涂层应为镀金,镀锡或浸锡。对引端材料和涂层要求选,择或另有要求时,在合同或订单中应明确规定（见6.4）,3.2.2 器件结构,ャ华人民共和国电子工业部1996-06-14发布1996-10-01 实施,1,SJ 50033/96-95,器件采用NPN硅外延平面双极型结构,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸按GB 7581的A6—02A型及如下规定,引出端极性,1 ー发射极1,2一基极1,3、集电极1,7、发射极2,6、基极2,5、集电极2,图1外形图,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.1 最大额定值,注:1）TA>251C时,按0.57mW/V的速率降额,型号,P totn,Ta = 25 匕,(mW),VcBO,(V),VcEO,(V),Vebo,(V),ム,(mA),方和J,（匕）,3DG216,A、B,100X2 45 30 4 20 -55-175,3.3.2 主要电特性（Ta = 25C）,2,SJ 50033/96-95,注:D较大的数为分丒,参 数,型号,极限值,符号（单位） 测试条件最小值最大值,九FE⑴ Vce = 10V, lc = 3mA 所有型号40 200,Vm (V) Ic- 10mA, ZB= 1mA 所有型号0.5,/t(MHz),c = 3mA, Vce=10V,f=30M 假,所有型号150,るFEI,るFE2,Vce = 10V,厶=3mA 3DG216B 0.95,3DG216A 0.90,c0bo(PF),Vcb=10V,/=1MHz,Ie恐0,所有型号,5,3.4 标志,器件的标志应按GJB 33的规定,4质量保证规定,4.1 样和检验,抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4.3 筛选（仅对GT和GCT级）,筛选应按GJB 33和本规范的规定。其测试应按本规范表1进行,超过本规范表1极限值,的器件应予剔除,筛 选测试或检验,7中间电参数,8功率老化,/CBO丒 んFEU)んFE1/五FE2,= 25 ± 3C, Vcb = 10V, PM = 100mW X 2,9最后测试,按本规范表1的A2分纟,Hcbo=初始值的100 %或5nA,取其较大者,△ん±20%,4.4 质量一致性检验,质量一致性检验应按GJB 33的规定进行,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量（△）要求按本规范,表4的步骤进行,3,SJ 50033/96-95,4.4,3 C组检验,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量（△）要求按本规范表,4的步骤进行,4.5 检验和试验方法,4.5.1 脉冲测试,脉冲测试应按GJB 128的3.3.2.1条的规定进行,4.5.2 基极一发射极电压测试,将两个单管的发射极连接在ー起,对每个单管采用规定的试验条件并符合GB 4587的,2.4方法。在两个单管之间直接测得基极ー发射极的电压差I匕⑻ーデBE2%,4-5.3基极ー发射极电压差随温度变化的测试,按本规范4.5.2条规定的方法,在两个规定的温度下测试基极ー发射极电压差的数值，并,按如下公式计算:,I △( Vbei - V,BE2)ATa = I ( Vbei ~ Vbez) Tai 一( Vbei - Vbe2)Ta2 I,表1 A组检验,GB 4587,检验或试验,极限值,方 法条 件,LTPD 符号单位,Al分组,外观和机械检验,GJB 12,2071,最大,----- ：,A2分组,集……
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